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[发明专利]光电半导体装置-CN201710446677.1有效
发明人：陈显德 -专利权人：优显科技股份有限公司
申请日： 2017-06-14 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明公开一种光电半导体装置。光电半导体装置包括磊晶基材以及多个微尺寸光电半导体元件。这些微尺寸光电半导体元件间隔设置于磊晶基材的表面，各微尺寸光电半导体元件的边长分别介于1微米与100微米之间，且两个相邻的微尺寸光电半导体元件的最小间距为1微米。
光电半导体装置

[发明专利]光电半导体装置-CN201210506094.0无效
发明人：施权峰;傅圣文;吴炫达;赖志铭;郭钟亮 -专利权人：乐利士实业股份有限公司
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L33/64 文献下载
摘要：本发明涉及一种光电半导体装置，其包括一电路板、一光电半导体元件及至少一导线。该电路板具有一基板、一电路层及至少一孔洞，该电路层邻接该基板。该孔洞位于该基板，以容纳一冷却液。该光电半导体元件具有一顶电极及一底电极，该底电极邻接且利用该导线电气连接至该电路层，且该光电半导体元件的位置为相对于该孔洞。
光电半导体装置

[发明专利]光电半导体装置-CN200710306612.3无效
发明人：吕志强;三晓蕙;彭韦智 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2007-12-28 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明的一个实施例揭露一种光电半导体装置，其包含可以在光能与电能间进行转换的半导体系统、形成于此半导体系统的至少二个表面上的界面层、导电体、及将半导体系统与导电体电连接的电性接点。
光电半导体装置

[发明专利]光电半导体装置-CN201610109502.7在审
发明人：陈奕璇;徐世昌 -专利权人：光宝光电（常州）有限公司;光宝科技股份有限公司
申请日： 2016-02-26 - 公布日： 2017-09-05 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明提供一种光电半导体装置，其包含基板、发光二极管芯片、波长转换材料、封装胶，以及保护层。发光二极管芯片设置于基板上。本发明的光电半导体装置展现经改良的广色域(high NTSC)特性及亮度，且同时具有优良的信赖性。
光电半导体装置

[发明专利]光电半导体装置-CN202010789981.8在审
发明人：王种皓;王郁琪;陈怡名;邱毅扬;林俊宇 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2020-08-07 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明公开一种光电半导体装置，其包括一半导体叠层、一电极以及多个接触部。半导体叠层具有一第一型半导体结构、一活性结构位于第一型半导体结构上及一第二型半导体结构位于活性结构上。第一型半导体结构具有一第一凸部、一第二凸部及一凹部位于第一凸部及第二凸部之间，且半导体叠层具有一厚度。电极位于第二型半导体结构上，并具有一部分对应于第一凸部。多个接触部位于第二凸部且未位于第一凸部并与第一型半导体结构接触，电极与最接近的接触部具有一第一距离，且第一距离与厚度的比值大于5。
光电半导体装置

[发明专利]光电半导体装置-CN200910207007.X有效
发明人：沈建赋;钟健凯;洪详竣;叶慧君;柯淙凯;林安茹;欧震 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2009-10-23 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电半导体装置。依据本发明一实施例的一种光电半导体装置包括转换部，包括第一侧；电性接点；接触层，具有外边界；及至少连续三个不连续区，沿外边界形成，且具有至少一个不相同的要素；其中，电性接点、接触层、及不连续区形成于转换部的第一侧
光电半导体装置

[发明专利]光电半导体装置-CN200810184859.7有效
发明人：陈彦文;陈威佑;王健源;谢明勋;陈泽澎 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2008-12-05 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体光电元件，包含：基板；半导体系统，包含有源层形成于基板之上；及电极结构，形成于半导体系统之上，此电极结构包含：第一电性接触区或第一电性打线垫，第二电性打线垫，第一电性延伸线路，及第二电性延伸线路
光电半导体装置

[发明专利]光电半导体装置-CN200810165854.X有效
发明人：沈建赋;钟健凯;洪详竣;叶慧君;柯淙凯;林安茹;欧震 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2008-09-25 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：依据本发明一实施例的一种光电半导体装置，包括一能量转换系统，用以进行光能与电能间的转换，此能量转换系统具有一第一侧；一接触层，形成于能量转换系统的第一侧，并包括一外边界及至少一欧姆接触区，其中欧姆接触区与能量转换系统间可形成欧姆接触
光电半导体装置

[发明专利]光电半导体装置-CN201310021570.4有效
发明人：沈建赋;钟健凯;洪详竣;叶慧君;柯淙凯;林安茹;欧震 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2009-10-23 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电半导体装置。依据本发明一实施例的一种光电半导体装置包括转换部，包括第一侧；电性接点；接触层，位于该转换部与该电性接点之间并具有外边界，其中该接触层中形成有至少连续三个不连续区，该至少连续三个不连续区沿外边界形成，且具有至少一个不相同的要素
光电半导体装置

[发明专利]光电半导体装置-CN201110332540.6有效
发明人：陈彦文;陈威佑;王健源;谢明勋;陈泽澎 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2008-12-05 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体光电元件，包含：基板；半导体系统，包含有源层形成于基板之上；及电极结构，形成于半导体系统之上，此电极结构包含：第一电性接触区或第一电性打线垫，第二电性打线垫，第一电性延伸线路，及第二电性延伸线路
光电半导体装置

[发明专利]光电半导体装置-CN201210388835.X有效
发明人：沈建赋;钟健凯;洪详竣;叶慧君;柯淙凯;林安茹;欧震 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2008-09-25 - 公布日： 2013-02-20 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：依据本发明一实施例的一种光电半导体装置，包括一能量转换系统，用以进行光能与电能间的转换，此能量转换系统具有一第一侧；一接触层，形成于能量转换系统的第一侧，并包括一外边界及至少一欧姆接触区，其中欧姆接触区与能量转换系统间可形成欧姆接触
光电半导体装置

[发明专利]光电半导体装置-CN200910005895.7无效
发明人：李天佑;吴嘉豪;林贞秀 -专利权人：旭丽电子(广州)有限公司;光宝科技股份有限公司
申请日： 2009-02-10 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种光电半导体装置，其金属线路层封装于封装壳体中，用以增加封装稳定性以及电性稳定性。该封装壳体具有中空结构，发光二极管芯片以及封装胶体则置于该中空结构内。
光电半导体装置

[发明专利]光电半导体装置及其制造方法-CN201210409900.2无效
发明人：施权峰;傅圣文;吴炫达;赖志铭;郭钟亮 -专利权人：乐利士实业股份有限公司
申请日： 2012-10-24 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01L33/64 文献下载
摘要：本发明涉及一种光电半导体装置及其制造方法。该光电半导体装置包括一基板、一光电半导体元件、一黏着层、多条导线及一封胶材料。该光电半导体元件是利用该黏着层附着至该基板，且部分该光电半导体元件显露于该基板的贯穿孔结构。所述导线电性连接该光电半导体元件至该基板。该封胶材料包覆该光电半导体元件及所述导线。本发明的光电半导体装置可有效地降低该光电半导体装置的工作温度。
光电半导体装置及其制造方法

[发明专利]光电半导体装置及光电半导体的封装方法-CN202210152381.X在审
发明人：江协志;邱崇哲;阮智伟;曾释锋 -专利权人：鸿富泰精密电子（烟台）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01S5/0232 文献下载
摘要：本申请公开了一种光电半导体装置，包括底座、光电半导体、导电件及还上盖；所述上盖盖设于所述底座上，且与所述底座共同围成收容腔，所述上盖具有与所述收容腔连通的通孔；所述导电件垂直固定于所述底座上远离所述上盖的一侧；所述光电半导体固定于所述底座上并收容于所述收容腔内，所述光电半导体与所述导电件电连接，所述光电半导体面向所述通孔以供所述光电半导体上的激发光穿过所述上盖。本申请还提供了一种光电半导体的封装方法。上述光电半导体装置及光电半导体的封装方法将导电件垂直设置于所述底座上远离所述光电半导体的一侧，使光电半导体在与其他电子元件焊接时，将导电件远离所述底座的一端与电子元件对齐即可，方便了焊接操作。
光电半导体装置封装方法

[发明专利]光电转换装置、图像拾取系统以及制造光电转换装置的方法-CN201310062459.X有效
发明人：下津佐峰生;市川武史;关根康弘 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2013-02-28 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明涉及光电转换装置、图像拾取系统以及制造光电转换装置的方法。一种光电转换装置，包括第一半导体衬底和第二半导体衬底，第一半导体衬底包括用于根据入射光生成信号电荷的光电转换单元，而第二半导体衬底包括用于处理基于在光电转换单元中生成的信号电荷的电信号的信号处理单元。该信号处理单元位于从光电转换单元到第二半导体衬底的正交投影区域中。包括多个绝缘体层的多层膜在第一半导体衬底与第二半导体衬底之间设置。第二半导体衬底的厚度小于500微米。第二半导体衬底的厚度大于第二半导体衬底与第一半导体衬底的光接收表面之间的距离。
光电转换装置图像拾取系统以及制造方法

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